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电池片的制作工艺

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2. 短路电流

在一定的温度和辐照条件下，太阳电池在端电压为零时的输出电流，通常用 I sc 来表示。

将 PN 结短路（ V=0 ），因而 IF=0 ，这时所得的电流为短路电流 Isc ，显然有： I sc = I L ， I sc 与太阳电池的面积大小有关，面积越大， I sc 越大。 I sc 与入射光的辐照度成正比。

3. 功率点

在太阳电池的伏安特性曲线上对应大功率的点，又称佳工作点。

4. 工作电压

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电压。通常用 V m 表示

5. 工作电流

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电流。通常用 I m 表示

6. 转换效率

受光照太阳电池的大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比。 η = V m I m / A t

P in 其中 V m 和 I m 分别为大输出功率点的电压和电流， A t 为太阳电池的总面积， P in 为单位面积太阳入射光的功率。

7. 填充因子

太阳电池的大功率与开路电压和短路电流乘积之比，通常用 FF 表示： FF = I m V m / I sc V oc

I sc V oc 是太阳电池的极限输出功率， I m V m 是太阳电池的大输出功率，填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数。

8. 电流温度系数

在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 C ，太阳电池短路电流的变化值，通常用 α 表示。对于一般晶体硅电池 α = 0.1%/ 0 C 。

9. 电压温度系数

在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 C ，太阳电池开路电压的变化值，通常用 β 表示。对于一般晶体硅电池 β = - 0.38%/ 0 C 。

非晶硅片

非晶硅片

非晶硅太阳电池是1976年有出現的新式塑料薄膜式太阳电池，它与单晶硅和多晶硅太阳光电池的制作方式彻底不一样，硅材料耗费非常少，热耗更低，十分吸引住人。生产制造非晶硅太阳电池的方式有多种多样，普遍的是辉光放电法，也有反应溅射法、化学气相沉积法、电子束蒸发法和分解反应***法等。辉光放电法是将一方解石器皿抽成真空，用射频电源加温，使***电离，产生等离子技术。非晶硅膜就堆积在被加温的衬底上。若***中掺人适当的氢化磷或氢化硼，就能获得N型或P型的非晶硅膜。衬底原材料通常用夹层玻璃或不锈钢板材。这类制取非晶硅塑料薄膜的加工工艺，关键在于严控标准气压、水流量和频射输出功率，对衬底的溫度也很关键。非晶硅太阳电池的构造有各种各样不一样，在其中有种不错的构造叫PiN充电电池，这是在衬底上先堆积一层层掺磷的N型非晶硅，再堆积一层层未夹杂的i层，随后再堆积一层层掺硼的P型非晶硅，终用电子束蒸发一层层减反射膜，并蒸镀镍/镀银电级。此类加工工艺，能够选用一个一个堆积室，在生产制造中组成持续程序流程，以保持批量生产。一起，非晶硅太阳电池太薄，能够做成层叠式，或选用集成电路芯片的方式生产制造，在1个平面图上，用适度的掩模加工工艺，一回制做好几个串连充电电池，以得到较高的工作电压。由于一般结晶硅太阳电池单独只能0.5伏上下的工作电压，如今日本国生产制造的非晶硅串连太阳电池达到2.4伏。现阶段非晶硅太阳电池存在的不足是光学变换***率稍低，好的水准为10%上下，且不足平稳，经常出现变换***率衰降的状况，因此并未很多用以作大中型太阳能发电开关电源，而大多数用以暗光开关电源，如袖珍式电子计算器、电子器件时钟及打印机等层面。

电池片各工序影响因素及异常情况

电池片各工艺流程危害要素及异常现象

4.NaOH产生金字塔式绒面。NaOH浓度值越高，金字塔式容积越小，反映前期，金字塔式成核相对密度类似没受NaOH浓度值危害，碱水溶液的腐蚀随NaOH浓度值转变比较显著，浓度值高的NaOH水溶液与硅体现的速率加速，再反映过段时间后，金字塔式容积更大。NaOH浓度值超出必须界线时，各向异性系数缩小，绒面会愈来愈差，类似打磨抛光。可控性水平：与IPA相近，线性度不高。

5.Na2SiO3SI和NaOH反映生产制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有缓冲剂的***，使反映不会很强烈,变的轻缓。Na2SiO3使反映拥有大量的起始点，生长发育出的金字塔式更匀称，更小一点儿Na2SiO3多的那时候要立即的排出去，Na2SiO3传热性差，会危害反映,水溶液的黏稠度也提升，非常容易产生水流、花蓝印和表层黑斑。可控性水平：没办法操纵。4酸洗钝化HCL除去硅片表层的金属材料残渣***具备酸和络合剂的双向***，***盐能与多种多样金属材料正离子产生可溶解与水的络合物。6酸洗钝化HF除去硅片表层空气氧化层，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。

基准点1．减薄量界定：硅片制绒前后左右的前后左右净重差。操纵范畴多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首篮减薄量在0.7±0.2g；之后减薄量在0.6±0.2g。2．绒面分辨规范：成核相对密度高，尺寸适度，匀称。

操纵范畴：多晶硅：金字塔式规格3~10um。3．外型无豁口，黑斑，裂痕，激光切割线，刮痕，凹痕，有没有白斑病，赃污。