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目前晶体硅太阳能电池（包括单晶和多晶）的转化效率都在百分之十五以上，而非晶硅太阳能的转化效率一般不超过百分之十，且存在衰减现象，非晶硅薄膜电池的好处就是消耗的硅料少，成本比晶硅电池低。目前市场上、畅销的认识晶硅太阳能电池。

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多晶硅的品质和规格

多晶硅按外形可分为：块状多晶硅和棒状多晶硅；

等级分为：一、二、三级免洗料。

多晶硅的检测

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抵御平稳——淬火（ Class 1k）

硅片在 CZ 炉内高浓的氧气氛里生长发育。 由于绝大多数的氧是可塑性的， 殊不知仍有数的氧会形 成小基团。这种基团会饰演 n-施主的人物角色，就会使硅片的电阻检测有误。要避免这一问 题的产生， 硅片务必加温到 650℃上下。好的光伏系统建立在优质的产品质量上，***人士尚且不能通过外观判断产品的质量，对于缺乏***知识的光伏爱好者和用户来说就更难了。 这一高的溫度会使氧产生大的基团而不容易危害电 阻率。随后对硅片开展激冷，以阻拦小的氧基团的产生。这一全过程能够 合理的清除氧做为 n- 施主的特点，并使真实的电阻趋于稳定。

背封（ Class 10k）

针对重掺的硅片而言，会历经一个高溫环节，在硅片反面淀积一层塑料薄膜，能阻拦掺杂剂的向 扩散。这一层就好似密封剂一样避免掺杂剂的肇事逃逸。一般有三种塑料薄膜被用于做为背封原材料： 二氧化硅（ SiO2）、氮化硅（ Si3N4）、光伏电池。长期现金采购电池片，硅片，多晶硅，单晶硅，硅料，光伏组件，太阳能电池板回收硅是自然界中分布很广的一种元素，在地壳中，它的含量仅次于氧,居第二位。假如金属氧化物或氮化合物用于背封，能够 严苛地认 为是一密封剂，而假如选用光伏电池，除开关键做为密封剂外，还具有了外界吸杂***。 图 1.3 举例子了加热清理、抵御平稳和背封的流程。

工艺实现

为实现利用湿法刻蚀在硅片加工出刻，硅腐蚀。V 形槽条纹这一目标，需要三步工艺：氧化，光图 1 硅单晶晶体结构。

在本文中用（ 100）双面抛光硅片来叙述，图 2 中 V 型槽的两个斜面为 (111)晶面，底面为(100)晶面。由晶体结构计算斜面（ 111）与地面（ 100）夹角 54.736°。当腐蚀的时候，从（ 100）硅片上沿着（ 110）方向腐蚀时掉需要腐蚀的硅原子，从而暴露出倾角为 54.736°的（ 111）面，双面进行就会形成 V 型槽结构。由于硅片的腐蚀存在备向异性，硅 (111)晶面的腐蚀速度远小于 (100)面的。长期现金采购电池片，硅片，多晶硅，单晶硅，硅料，光伏组件，太阳能电池板太阳能电池板，光伏组件，发电板，光伏板。因此，只要选择适当的腐蚀温度和时间，就能得到如图 2 所示的硅片 V 型槽。将硅单晶体按（ 100）方向切成所需大小的硅片。

对于不清楚流程的用户可以直接拨打95598进行咨询，然后去就近的供电营业厅申请办理。流程和去***类似，用户材料去营业厅办理即可，现在许多供电营业厅设有专门的窗口。硅太阳能电池的一般制成P /N型结构或N /P型结构，P 和N ，表示太阳能电池正面光照层半导体材料的导电类型。这里需要明确一点对于公用位置上面建设光伏电站的需要公用位置的所有业主、物业、居委会提供同意证明材料。