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苏州振鑫焱光伏科技有限公司

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苏州振鑫焱光伏科技有限公司
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企业等级: 普通会员
经营模式: 生产加工
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太阳能组件回收-电池板组件回收-振鑫焱硅业

发布时间:2019-11-30 04:17:32        

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视频作者:苏州振鑫焱光伏科技有限公司





电池片常见异常情况处理方法

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:高价回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,太阳能组件回收,实验板,***偿还,返工,光伏模块回收等。


六、 虚印:

1、 网版堵塞:用醇先擦一遍,再用干无尘布擦干;

2、 印刷***条不平:更换***条;

3、 网版不合格:更换网版;

4、 车间温度与湿度不合适:温度控制在22±2℃,湿度控制在50±3%;

5、 印刷参数不合格:调整印刷压力、印刷间隙与印刷速度

6、 工作台板不平,磨损严重:检查更换工作台板;

7、 印刷机导轨不平:设备重新调整导轨;

七、 粗线:

1、 原硅片为线痕片:控制线痕原硅片;

2、 网版使用次数太多,张力不够:更换新网版。





晶体硅电池片

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:高价回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,***偿还,返工,光伏模块回收等。

晶体硅电池片检验方法:


2 ) 外观目测:

a. 与表面成 35 °角日常光照情况下观察表面颜色,目视颜色均匀 一致 ,电池板组件哪里有回收,无明显色差花斑、水痕、手印、划痕及污垢。

b. 隐裂:电池片有隐裂、 肉眼可见的裂纹, 均视为不合格

c. 背面铝背电极完整,表面平整 、 边界清晰 、 无明显凸起的“铝珠 , 脱落 3mm 2 / 个 ≤ 5mm 2 、鼓泡累计面积≤5mm

2 ,太阳能电池板组件回收厂家, 背面铝膜与基体材料的附着强度? 背膜烧结:用层压机 130 — 145 度,超过 10 分钟。冷却到室温后,用刀片隔开 1cm 的宽度,用大于 50N 的拉力,铅膜不随 EVA 脱落,则认为合格。

d. 受光面栅线:主栅线均匀完整,栅线印刷清晰、对称;主栅线与细栅线处允许≤ 1mm ;细栅线允许≤ 2mm 的脱落;栅线印刷偏离,明显两次印刷的返工片视为不合格;断点的总数≤ 60mm。

e. 崩边:每一边不超过两处崩边,崩边间距≥ 30mm 、深度≤ 0.5 片子厚度、面积≤ mm 2

f . 电池边缘缺角面积不超过 1mm 2 ,数量不超过 2 个。缺角:一边有一处崩边,面积≤5mm 2 ,一边由两处崩边、面积≤3mm 2

g. 电池的崩边、钝形缺口等外形缺损的尺寸要求:长度不大于 1.5mm ,由边缘向中心的深度不大于 0.5mm ,同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过两处。同时不允许电池上 V 形缺口。




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2. 短路电流

在一定的温度和辐照条件下,太阳电池在端电压为零时的输出电流,通常用 I sc 来表示。

将 PN 结短路( V=0 ),因而 IF=0 ,这时所得的电流为短路电流 Isc ,显然有: I sc = I L , I sc 与太阳电池的面积大小有关,面积越大, I sc 越大。 I sc 与入射光的辐照度成正比。

3. 功率点

在太阳电池的伏安特性曲线上对应大功率的点,又称佳工作点。

4. 工作电压

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电压。通常用 V m 表示

5. 工作电流

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电流。通常用 I m 表示

6. 转换效率

受光照太阳电池的大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比。 η = V m I m / A t

P in 其中 V m 和 I m 分别为大输出功率点的电压和电流, A t 为太阳电池的总面积, P in 为单位面积太阳入射光的功率。

7. 填充因子

太阳电池的大功率与开路电压和短路电流乘积之比,通常用 FF 表示: FF = I m V m / I sc V oc

I sc V oc 是太阳电池的极限输出功率, I m V m 是太阳电池的大输出功率,填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数。

8. 电流温度系数

在规定的试验条件下,被测太阳电池温度每变化 1 0 C ,太阳电池短路电流的变化值,通常用 α 表示。对于一般晶体硅电池 α = 0.1%/ 0 C 。

9. 电压温度系数

在规定的试验条件下,被测太阳电池温度每变化 1 0 C ,太阳电池开路电压的变化值,通常用 β 表示。对于一般晶体硅电池 β = - 0.38%/ 0 C 。




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